中试控股技术研究院鲁工为您讲解：四通道介质损耗因数(tanδ)测量装置

ZSDX-8000高压介质损耗测试装置(CVT变比）

操作简单，仪器配备了高端的全触摸液晶显示屏，超大全触摸操作界面，每过程都非常清晰明了，操作人员不需要额外的专业培训就能使用。轻
轻点击一下就能完成整个过程的测量，是目前非常理想的智能型介损测量设备。

参考标准：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高压介质损耗测试装置(CVT变比）：ZSDX-8000高压介质损耗测试装置是发电厂、变电站等现场或实验室测试各种高压电力设备介损正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化
结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用
于被试品测试。频率可变为50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用数字陷波技术，避开了工
频电场对测试的干扰，从根本上解决了强电场干扰下准确测量的难题。同时适用于全部停电后用发电机供电检测的场合。该仪器配以绝缘油杯加温控装置可测试绝缘油介质损耗。

技术参数
1 使用条件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干扰原理 变频法
3 电    源 AC 220V±10% 允许发电机
4 高压输出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大电流       200mA
容    量 2000VA
5 自激电源 AC 0V∽50V/15A 单  频   50.0HZ、60.0HZ 
自动双变频
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(读数*1.0%+0.040%)
△C x :±(读数*1.0%+1.00PF)
8 测量范围 tgδ 无限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT测试 Cx ＜ 300 nF
9 LCR测量范围 电感L>20H（2kV）             电阻R>10KΩ（2kV）
LCR测量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT变比范围 10∽10000
CVT变比精度 1% CVT变比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主机(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存储器大小 200 组 支持U盘数据存储
13 重量（主机） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
参考接线
1、正接法 
(1)、内高压—内标准—正接法（常规接线）
(2)、外高压—内标准—正接法（外接高压输入小于12kV）
(3)、内高压—外标准—正接法（必须设置外接标准容量）                         
(4)、外高压—外标准—正接法（必须设置外标准容量）                                                                        
2、反接法
(1)、内高压—内标准—反接法（常规接线）                                                          
(2)、外高压—内标准—反接法（外接高压输入小于12kV                                                                            
(3)、内高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）
(4)、外高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）                                                                      
3、CVT测试
(1)、CVT分别测试（普通测试）
(2)、CVT同时测试（一次完成测试）
(3)、不拆高压引线测试CVT电容值和介损测量模式：CVT自激法。电压≤2kV 
(4)、反接屏蔽法测量CVT上端C0的电容值和介损测量模式：反接法。电压≤2kV
4、CVT变比测试                             
5、正反同测
(1)、两绕组变压器CHG+CHL测试接线
 
(2)、两绕组变压器CLG+CLH测试接线
 
(3)、三绕组变压器CHG+CHL测试接线（高压线屏蔽接T绕组）
 
(4)、三绕组变压器CLG+CLT测试接线（高压线屏蔽接HV绕组）
 
(5)、三绕组变压器CTG+CHT测试接线（高压线屏蔽接LV绕组）
?正接法
   1.HV用红色高压线连试品高压
   2.Cx用黑色测试线连试品低压
   3.黑色测试线的屏蔽层连试品E
?反接法
   1.试品高压接地
   2. HV用红色高压线连试品低压         
   3.红色高压线的屏蔽层连试品E
   4.Cx悬空
   5.桶体已为高压注意绝缘

中试控股电力讲解测量介质损耗角正切值tg 有何意义？

介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。例如：某台变压器的套管，正常tg 值为0.5％，而当受潮后tg 值为3.5％，两个数据相差7倍；

而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。中试控股电力讲解变压器、发电机、断路器等电气设备的介损测试《规程》都作了规定。

U盘导出，可在任意一台PC机上通过我公司专用软件，查看和管理数据
不拆除CVT高压引线的情况下正确测量CVT的介质损耗值和电容值
自激电源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自动双变频

在《电力设备预防性试验规程》中对电机、电缆等绝缘，因为缺陷的集中性及体积较大，通常不做此项试验；而对套管、电力变压器、互感器、电容器等则做此项试验。
    一、测量原理及方法
    介质损失角正切的测量方法：平衡测量法和角差测量法。
    平衡测量法为传统的测量方法，即高压西林电桥法。
    角差测量法，现代的数字式介损测量仪，采用变频抗干扰、数字处理DSP和傅立叶变换数字滤波技术，操作简单，精度高。
    1.用高压西林电桥法测量tgδ
    (1)接线：正接线、反接线、对角线接线法
    正接线用于两极对地绝缘的设备，用于试验室或绕组间测 。
    反接线用于现场被试设备为一极接地的设备，要求电桥有足够的绝缘。
    由于R3和C4处于高电位，为保证操作的安全应采取一定的措施。一个办法是将电桥本体和操作者一起放在绝缘台上或放在一个叫法拉第笼的金属笼里对地绝缘起来，使操作者与R3、C4处于等电位。另一种办法是人通过绝缘连杆去调节R3和C4。现场试验通常采用反接线试验方法。
    对角线接线用于被试设备为一极接地的设备且电桥没有足够的绝缘。

 (2)电桥测试中的注意事项
    在电桥测试中，有些问题往往容易被忽视，使测量数据不能反映被试设备的真实情况，常被忽视的问题有：
    A.外界电场干扰的影响。在电压等级较低(例如35kV电压等级)的电气设备tgδ测试中，容易忽视电场干扰的影响。
    B.高压标准电容器的影响。现场经常使用的BR-16型标准电容器，电容量为50pF，要求tgδ%＜0.1%。由于标准电容器经过一段时间存放、应用和运输后，本身的质量在不断变化，会受潮、生锈，如忽视了这些质量问题，同样会影响测试的数据。
    C.试品电容量变化的影响。在用QS1型西林电桥测量电气设备绝缘状况时，往往重视 值，而容易忽视试品电容量的变化，由此而产生一些事故。
    D.消除表面泄漏的方法。当测量电气设备绝缘的tgδ时，空气相对湿度对其测量结果影响很大，当绝缘表面脏污，且又处于湿度较大的环境中时，表面泄漏电流增加，对其测量结果影响更大。
    采取其有效的方法，如电热风法、瓷套表面瓷群涂擦法、化学去湿法等。
    E.测试电源的选择。在现场测试中，有时会遇到试验电压与干扰电源不同步，用移相等方法也难以使电桥平衡的情况。
    F.电桥引线的影响：
    引线长度的影响。分析研究表明，在一般情况下，CX引线长度约为5～10m，其电容约为1500～3000pF；而CN引线约为1～1.5m，其电容约为300～500pF。当R4＝3184欧和R3较小时，对测量结果影响很小，但若进行小容量试品测试时，就会产生偏大的测量误差。
    高压引线与试品夹角的影响。测量小容量试品时，高压引线与试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
    引线电晕的影响。高压引线的直径较细时，当试验电压超过一定数时，就可能产生电晕。例如若用一般的导线做高压引线，当电压超过50kV后，就会出现电晕现象。电晕损耗通过杂散电容将被计入被试品的tgδ内。严重影响测量结果，并可能导致误判断。
    引线接触不良的影响。当QS1电桥高压线或测量引出线与被试品接触不良时，相当于被试支路串联一个附加电阻。该电阻在交流电压作用下会产生有功损耗并与被试品自身有功损耗叠加，使测量的介质损耗因数超过规定的限值，导致误判断。
    接线的影响。小电容(小于500pF)试品主要有电容型套管、3～110kV电容式电流互感器等。对这些试品采用QS1型电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳(垫绝缘)的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次和顶部周围接地部分的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉(电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点)。
    由于正接地具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。