中试控股技术研究院鲁工为您讲解：介损电桥异频测量装置

ZSDX-8000高压介质损耗测试装置(CVT变比）

操作简单，仪器配备了高端的全触摸液晶显示屏，超大全触摸操作界面，每过程都非常清晰明了，操作人员不需要额外的专业培训就能使用。轻
轻点击一下就能完成整个过程的测量，是目前非常理想的智能型介损测量设备。

参考标准：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高压介质损耗测试装置(CVT变比）：ZSDX-8000高压介质损耗测试装置是发电厂、变电站等现场或实验室测试各种高压电力设备介损正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化
结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用
于被试品测试。频率可变为50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用数字陷波技术，避开了工
频电场对测试的干扰，从根本上解决了强电场干扰下准确测量的难题。同时适用于全部停电后用发电机供电检测的场合。该仪器配以绝缘油杯加温控装置可测试绝缘油介质损耗。

技术参数
1 使用条件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干扰原理 变频法
3 电    源 AC 220V±10% 允许发电机
4 高压输出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大电流       200mA
容    量 2000VA
5 自激电源 AC 0V∽50V/15A 单  频   50.0HZ、60.0HZ 
自动双变频
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(读数*1.0%+0.040%)
△C x :±(读数*1.0%+1.00PF)
8 测量范围 tgδ 无限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT测试 Cx ＜ 300 nF
9 LCR测量范围 电感L>20H（2kV）             电阻R>10KΩ（2kV）
LCR测量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT变比范围 10∽10000
CVT变比精度 1% CVT变比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主机(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存储器大小 200 组 支持U盘数据存储
13 重量（主机） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
参考接线
1、正接法 
(1)、内高压—内标准—正接法（常规接线）
(2)、外高压—内标准—正接法（外接高压输入小于12kV）
(3)、内高压—外标准—正接法（必须设置外接标准容量）                         
(4)、外高压—外标准—正接法（必须设置外标准容量）                                                                        
2、反接法
(1)、内高压—内标准—反接法（常规接线）                                                          
(2)、外高压—内标准—反接法（外接高压输入小于12kV                                                                            
(3)、内高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）
(4)、外高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）                                                                      
3、CVT测试
(1)、CVT分别测试（普通测试）
(2)、CVT同时测试（一次完成测试）
(3)、不拆高压引线测试CVT电容值和介损测量模式：CVT自激法。电压≤2kV 
(4)、反接屏蔽法测量CVT上端C0的电容值和介损测量模式：反接法。电压≤2kV
4、CVT变比测试                             
5、正反同测
(1)、两绕组变压器CHG+CHL测试接线
 
(2)、两绕组变压器CLG+CLH测试接线
 
(3)、三绕组变压器CHG+CHL测试接线（高压线屏蔽接T绕组）
 
(4)、三绕组变压器CLG+CLT测试接线（高压线屏蔽接HV绕组）
 
(5)、三绕组变压器CTG+CHT测试接线（高压线屏蔽接LV绕组）
?正接法
   1.HV用红色高压线连试品高压
   2.Cx用黑色测试线连试品低压
   3.黑色测试线的屏蔽层连试品E
?反接法
   1.试品高压接地
   2. HV用红色高压线连试品低压         
   3.红色高压线的屏蔽层连试品E
   4.Cx悬空
   5.桶体已为高压注意绝缘

中试控股电力讲解测量介质损耗角正切值tg 有何意义？

介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。例如：某台变压器的套管，正常tg 值为0.5％，而当受潮后tg 值为3.5％，两个数据相差7倍；

而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。中试控股电力讲解变压器、发电机、断路器等电气设备的介损测试《规程》都作了规定。

U盘导出，可在任意一台PC机上通过我公司专用软件，查看和管理数据
不拆除CVT高压引线的情况下正确测量CVT的介质损耗值和电容值
自激电源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自动双变频

电力系统中运行着大量220kV电容式电流互感器，从其结构可知，某～次绕组与、般油浸纸电容式套管相似，相当于由10个电容量基本相等的电容元件串联而成．由于其制造时密封不良，运行中易进水受潮。
    根据Q/CSG 10007-2004，要求测量一次对末电屏（一次绕组Li L2短路加压，末电屏接介质损耗电桥Cx线，二次绕组短路与铁芯等接地，即QSi型电桥正接线）或～次对末电屏，二次绕组（短路）及地（QS，型电桥反接线）的tgδ。现场试验表明，按上述两种接线测量tgδ时，对发现互感器进水受潮缺陷并不灵敏。
    如能增加测量末电屏对二次绕组、铁芯与外壳（地）的介质损耗因数tgδ，对发现进水受潮缺陷就比较有效。现场测量时，可分别测量末电屏对二次绕组、末电屏对铁芯、来电屏对地等各部分的绝缘电阻与介质损耗因数。测量时一次绕组Li与L。端子短接后接于Qsi型西林电桥屏蔽线E。这样既可避免一次绕组对末电屏间绝缘电容量较大而介质损耗因数较小，被并联侧引起的测量值偏小，还可起到屏蔽外电场干扰作用。测量时按os,型电桥反接线，试验电压2kV。尽管试验电压较低，但由于被试部分电容量较大(约为1200N2500pF)，因此仍能满足测量灵敏度与准确度的要求。

字形结构电流互感器介质损耗因数测量

目前，电力系统中运行着大量的35～110kV 8字形结构电流互感器。这种互感器运行中存在一个主要的问题是：由于顶部密封不良而进水受潮。因此正确测量电流互感器一次对二次及外壳的介质损耗因数对监视绝缘是否受潮或劣化非常重要。
    具体测量方法既可按os，型电桥正接线测量一次对二次绕组的tgδ，也可按oS．型电桥反接线测量，由于运行中互感器外壳已妥善接地，因此一般使用osi型电桥的反接线进行测量（即一次短接电桥C。线，二次短接外壳或地）。曾用此法测得一台llOkV电流互感器，其一次对二次及外壳的tgδ为2.1%（20℃时），符合试验标准要求。但在进行真空干燥处理时，明显地发现内部存有水珠。这就表明，按此方法测量介质损耗因数对发现互感器进水受潮尚不可靠。

介质损耗角正切（tanδ）检测

tanδ是在交流电压下，绝缘介质中的有功电流Ir与无功电流IC的比值，即

在生产过程中，材料质量不合格或工艺不良，都会导致tanδ过大。在运行中，由于绝缘受潮、老化，tanδ会急剧增大，使绝缘温度升高，甚至引起热击穿。因此tanδ试验是一个很重要的试验项目。

试验方法

目前普遍使用高压西林电桥，其原理如图高压西林电桥原理图所示。

电桥平衡条件是

Z x Z 4=ZNZ3

电桥调平衡后

测量介质损耗时，电桥有两种接线方式：正接法和反接法。正接法适用于试品不接地的情况；反接法适用于试品一端接地的场合。反接法时，桥体处于高电位，要求用绝缘手柄操作，或者将电桥和人员置于对地绝缘的屏蔽笼内。

保护电压

图寄生电容影响电桥回路中a、b两点对高压引线和对地都有寄生电容Cau、Cbu和Cav、Cbv，这会引起干扰电流，影响桥臂电流I1=I3，I2=I4的平衡条件，造成测量误差。实际电桥中，桥体和引线装有屏蔽，消除了Cau、Cbu的影响，增大了a、b两点对地电容。在桥下结点v与地之间引入一幅值、相位可调的保护电压E，迫使a、b两点都处在地电位，可消除Ia0和Ib0的影响。常用的保护电压接法如图单屏蔽保护电压接线图所示。也可用双屏蔽接法，如图双屏蔽接线所示。

双屏蔽接线效果好，但要求电桥、标准电容器及引线都为双屏蔽结构。

如果电桥额定电压较低，而需要用于较高电压的试验时，原保护电压幅值可能不够，电桥将失调。改进方法之一，是把电阻R4减小（如10000/πΩ改为1000/πΩ）。