中试控股技术研究院鲁工为您讲解：介质损耗因数(tanδ)异频测量装置

ZSDX-8000高压介质损耗测试装置(CVT变比）

操作简单，仪器配备了高端的全触摸液晶显示屏，超大全触摸操作界面，每过程都非常清晰明了，操作人员不需要额外的专业培训就能使用。轻
轻点击一下就能完成整个过程的测量，是目前非常理想的智能型介损测量设备。

参考标准：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高压介质损耗测试装置(CVT变比）：ZSDX-8000高压介质损耗测试装置是发电厂、变电站等现场或实验室测试各种高压电力设备介损正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化
结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用
于被试品测试。频率可变为50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用数字陷波技术，避开了工
频电场对测试的干扰，从根本上解决了强电场干扰下准确测量的难题。同时适用于全部停电后用发电机供电检测的场合。该仪器配以绝缘油杯加温控装置可测试绝缘油介质损耗。

技术参数
1 使用条件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干扰原理 变频法
3 电    源 AC 220V±10% 允许发电机
4 高压输出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大电流       200mA
容    量 2000VA
5 自激电源 AC 0V∽50V/15A 单  频   50.0HZ、60.0HZ 
自动双变频
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(读数*1.0%+0.040%)
△C x :±(读数*1.0%+1.00PF)
8 测量范围 tgδ 无限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT测试 Cx ＜ 300 nF
9 LCR测量范围 电感L>20H（2kV）             电阻R>10KΩ（2kV）
LCR测量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT变比范围 10∽10000
CVT变比精度 1% CVT变比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主机(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存储器大小 200 组 支持U盘数据存储
13 重量（主机） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
参考接线
1、正接法 
(1)、内高压—内标准—正接法（常规接线）
(2)、外高压—内标准—正接法（外接高压输入小于12kV）
(3)、内高压—外标准—正接法（必须设置外接标准容量）                         
(4)、外高压—外标准—正接法（必须设置外标准容量）                                                                        
2、反接法
(1)、内高压—内标准—反接法（常规接线）                                                          
(2)、外高压—内标准—反接法（外接高压输入小于12kV                                                                            
(3)、内高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）
(4)、外高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）                                                                      
3、CVT测试
(1)、CVT分别测试（普通测试）
(2)、CVT同时测试（一次完成测试）
(3)、不拆高压引线测试CVT电容值和介损测量模式：CVT自激法。电压≤2kV 
(4)、反接屏蔽法测量CVT上端C0的电容值和介损测量模式：反接法。电压≤2kV
4、CVT变比测试                             
5、正反同测
(1)、两绕组变压器CHG+CHL测试接线
 
(2)、两绕组变压器CLG+CLH测试接线
 
(3)、三绕组变压器CHG+CHL测试接线（高压线屏蔽接T绕组）
 
(4)、三绕组变压器CLG+CLT测试接线（高压线屏蔽接HV绕组）
 
(5)、三绕组变压器CTG+CHT测试接线（高压线屏蔽接LV绕组）
?正接法
   1.HV用红色高压线连试品高压
   2.Cx用黑色测试线连试品低压
   3.黑色测试线的屏蔽层连试品E
?反接法
   1.试品高压接地
   2. HV用红色高压线连试品低压         
   3.红色高压线的屏蔽层连试品E
   4.Cx悬空
   5.桶体已为高压注意绝缘

中试控股电力讲解测量介质损耗角正切值tg 有何意义？

介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。例如：某台变压器的套管，正常tg 值为0.5％，而当受潮后tg 值为3.5％，两个数据相差7倍；

而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。中试控股电力讲解变压器、发电机、断路器等电气设备的介损测试《规程》都作了规定。

U盘导出，可在任意一台PC机上通过我公司专用软件，查看和管理数据
不拆除CVT高压引线的情况下正确测量CVT的介质损耗值和电容值
自激电源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自动双变频

（1）现场试验时，若没有高压标准电容器，可用tanδ′较小的、数值已知且电容量合适的其他高压电气设备来代替，这时被试品的tanδ为

tanδ=tanδ′+tanδ″

式中  tanδ″——电桥的读数。

（2）外界有电场干扰时，将使电桥无法平衡或带来严重误差，消除方法有：

1）屏蔽法。用金属网将试品屏蔽起来。

2）倒相法。将电源电压反相180°，正、反各试一次，结果分别为C1、tanδ1和C2、tanδ2则试品的tanδ为

（3）被试品和标准电容器的高压引线不应出现电晕；被试品的测量电极的外部绝缘有脏污或受潮，将分流流过桥体的电流，导致tanδ偏小或出现负值。

试验结果的判断

电介质损耗是由泄漏电流引起的损耗W1；感应极化引起的损耗Wp；局部放电引起的损耗Wi组成的。前两种因组成绝缘的材料的种类、分子的结合状态（如树脂的固化状态）、老化生成物的种类及数量、其他导电性物质的种类和数量（如水分）等变化。而后一种主要因绝缘中空穴等容易引起局部放电的缺陷情况而变化。tanδ试验就是基于这种现象来推断绝缘的性能状态及品质或老化程度的非破坏性试验。

tanδ与温度有关，以相同温度下的测量结果作比较，tanδ的合格范围示于表电缆及电容器的tanδ值的允许值。必要时，可作tanδ=f（u）曲线，观察tanδ随电压上升趋势，以判断绝缘好坏

测量充油电磁型电压互感器介质损耗时的注意事项是什么?

测量充油电磁型电压互感器介质损耗的注意事项如下。
（1）采用常规短接法、反接线和末端加压法都要注意二次端子板、小套管表面绝缘的影响，而末端屏蔽法则可屏蔽二次端子板、小套管表面绝缘的影响。
（2）采用末端屏蔽法和末端加压法接线进行试验时，二次、三次绕组的首尾端都不能短接，应把二次、三次绕组尾端X1和X2一起短接后介入测试仪器。
（3）串级式电压互感器的一次绕组和二次、三次绕组在磁路结构上并没有全部发生耦合，所以，若测量仪器选用摩恩电桥（QS1型电桥），由于测量原理的要求，应对测量的电容值进行换算。
110KV等级                 Cx=2CnR4/R3             （3-73）
220KV等级                 Cx=4CnR4/R3             （3-74）
式中 Cx—电容真实值，pF；
     R3—电桥盘面读数；
     Cn—取值为50pF；
     R4—取值为3184Ω。
对于常规短路法，由于加压绕组电压都相等，测试部位电压与QS1电桥所用标准电容器电压相同，测量接线与Qs1型电桥工作原理相同，则其所侧电容值无需换算。