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高压技术
介损LCR (电容、电阻、电感)测量仪(源头大企)
时间:2023-04-25

中试控股技术研究院鲁工为您讲解:介损LCR (电容、电阻、电感)测量仪(源头大企)

ZSDX-7000高压介质损耗测试装置(CVT)

多重保护安全可靠仪器具备输入电压波动、高压电流、输出短路、电源故障、过压、过流、温度等多重保护措施,保证了仪器安全、可靠。

仪器还具备设置接地检测功能,确保不接地设备不允许操作启动测试。
参考标准:DL/T 962-2005,DL/T 474.3-2018

高压介质损耗测试装置(CVT)测试高压源由仪器内部的逆变器产生,经变压器升压后用于被试品测试。频率可变为50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz,采用数字陷波技术,避开了工
频电场对测试的干扰,从根本上解决了强电场干扰下准确测量的难题。同时适用于全部停电后用发电机供电检测的场合。该仪器配以绝缘油杯加温控装置可测试绝缘油介质损耗。

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参考接线
1、正接(具体请参阅相关规程)
(1)、内高压—内标准—正接法(常规接线)
2、反接法
(1)、内高压—内标准—反接法(常规接线)                                                                      
3、CVT测试
(1)、CVT分别测试(普通测试)
(2)、不拆高压引线测试CVT电容值和介损测量模式:CVT自激法。电压≤2kV 
(3)、反接屏蔽法测量CVT上端C0的电容值和介损测量模式:反接法。电压≤2kV
?正接法
   1.HV用红色高压线连试品高压
   2.Cx用黑色测试线连试品低压
   3.黑色测试线的屏蔽层连试品E
?反接法
   1.试品高压接地
   2. HV用红色高压线连试品低压         
   3.红色高压线的屏蔽层连试品E
   4.Cx悬空
   5.桶体已为高压注意绝缘
注  意:
 ? 所有附带仪器主机的接线原理图,连线主机细线为电缆屏蔽层,粗线为电缆芯线。
 ? 请使用出厂时配套的测试电缆。仪器测量电缆通用,但本仪器属于高精密测量仪器,测量时请尽量使用仪器出厂时附带的测试电缆,否则的话
可能因电缆自身的属性差异而影响测量结果的精度。
 ? 具体每个接线插座和端子使用何种电缆连接请参考 “面板说明”。

主要技术参数
1使用条件 -15℃∽40℃ RH<80%
2抗干扰原理 变频法
3电    源 AC 220V±10% 允许发电机
4高压输出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大电流       200mA
容    量 2000VA
5 自激电源 AC 0V∽50V/15A 单  频   50.0HZ、60.0HZ 
自动双变频
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7精    度 △tgδ:±(读数*1.0%+0.040%)
△C x :±(读数*1.0%+1.00PF)
8测量范围 tgδ 无限制
C x 15pF < Cx < 300nF
10KV Cx < 60  nF
 5KV Cx < 150 nF
  1KV Cx < 300 nF
CVT测试 Cx < 300 nF
9外型尺寸(主机(mm) 350(L)×270(W)×315(H)
外型尺寸(附件)(mm) 350(L)×270(W)×160(H)
10存储器大小 200 组 支持U盘数据存储
11重量(主机) 22.55Kg
重量(附件箱) 5.25Kg

数据管理
在主菜单点击“数据管理”进入数据管理界面,点击“数据查询”进入数据存放菜单后,按上、下键移动光标至想要
查看的数据项目上,(仪器所保存的数据均是按照测量时间的先后所排列的,第000个数据即最新数据,第199个数据即最老数据。)再点击相应
的数据,进入数据打印项目,在此菜单里面可以按上,下键翻页至相应的数据序号上,可对数据进行打印操作。
点击“U盘备份”进入数据拷贝界面后,按照提示插入U盘,数据会自动拷贝存储到U盘,拷贝完成会提示用户拔出U盘
参数设置
时间设置:打开仪器后直接点击“参数设置”进入时间设置界面。进入时间菜单后,点击想要修改的时间数据项
目上,然后再按增加、减小键调整相应的“时” 、“分” 、“秒” ,最后点击保存修改时间设置,点击取消退出设置并返回主界面。 如果接
地检测设置“开”,仪器没有接地或者没有接好,液晶屏左下角会显示“接地错误…”,并且,光标会闪烁,测试的菜单就进不去,以免操作人
员启动测试,有触电危险。因此,一般不建议用户把接地检测设置为“关”,默认是打开检测的。                     
所有图片并非实物的全部描叙,请以实际仪器界面为主,仅做参考。
所有步骤在设置不当或想再次改变的情况下,均可按取消键返回上一步骤,如果按取消键不能实现返回。则可以直接按复位键退到主菜单重新开
始设置。

ZSDX-7000高压介质损耗测试装置是发电厂、变电站等现场或实验室测试各种高压电力设备介损正切值及电容量的高精度测试仪器。

仪器为一体化结构,内置介损测试电桥,可变频调压电源,升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。

介质损耗因数偏大的原因及处理方法:
1瓷套表面受潮。瓷套表面电阻的大小直接影响tanδ的准确度,因为表面电阻与体积电阻并联在一起,当电桥采用反接法测量时,会使tanδ值偏大。
解决方法是:
1)用电吹风、远红外等烘燥表面,或在日光下暴晒。
2)用挥发性强的液体清洁。
3)用憎水性涂料涂于瓷套表面。
2)电场干扰。干扰电流Id在被试品电流Ix的右侧,使tanδ测量结果大于实际值,此时应采用试验电源移相法测量tanδ或使用带抗干扰功能的介损仪。

3)被试品Cx接地回路接触不良。当被试品Cx接地回路接触不良时,会使tanδ值偏大,此时应改善被试品接地回路接触情况。


电力系统中运行着大量220kV电容式电流互感器,从其结构可知,某~次绕组与、般油浸纸电容式套管相似,相当于由10个电容量基本相等的电容元件串联而成.由于其制造时密封不良,运行中易进水受潮。
   
根据Q/CSG 10007-2004,要求测量一次对末电屏(一次绕组Li L2短路加压,末电屏接介质损耗电桥Cx线,二次绕组短路与铁芯等接地,即QSi型电桥正接线)或~次对末电屏,二次绕组(短路)及地(QS,型电桥反接线)的tgδ。现场试验表明,按上述两种接线测量tgδ时,对发现互感器进水受潮缺陷并不灵敏。
   
如能增加测量末电屏对二次绕组、铁芯与外壳(地)的介质损耗因数tgδ,对发现进水受潮缺陷就比较有效。现场测量时,可分别测量末电屏对二次绕组、末电屏对铁芯、来电屏对地等各部分的绝缘电阻与介质损耗因数。测量时一次绕组LiL。端子短接后接于Qsi型西林电桥屏蔽线E。这样既可避免一次绕组对末电屏间绝缘电容量较大而介质损耗因数较小,被并联侧引起的测量值偏小,还可起到屏蔽外电场干扰作用。测量时按os,型电桥反接线,试验电压2kV。尽管试验电压较低,但由于被试部分电容量较大(约为1200N2500pF),因此仍能满足测量灵敏度与准确度的要求。

字形结构电流互感器介质损耗因数测量

目前,电力系统中运行着大量的35110kV 8字形结构电流互感器。这种互感器运行中存在一个主要的问题是:由于顶部密封不良而进水受潮。因此正确测量电流互感器一次对二次及外壳的介质损耗因数对监视绝缘是否受潮或劣化非常重要。
   
具体测量方法既可按os,型电桥正接线测量一次对二次绕组的tgδ,也可按oS.型电桥反接线测量,由于运行中互感器外壳已妥善接地,因此一般使用osi型电桥的反接线进行测量(即一次短接电桥C。线,二次短接外壳或地)。曾用此法测得一台llOkV电流互感器,其一次对二次及外壳的tgδ为2.1%20℃时),符合试验标准要求。但在进行真空干燥处理时,明显地发现内部存有水珠。这就表明,按此方法测量介质损耗因数对发现互感器进水受潮尚不可靠。

 

介质损耗角正切(tanδ)检测

tanδ是在交流电压下,绝缘介质中的有功电流Ir与无功电流IC的比值,即

在生产过程中,材料质量不合格或工艺不良,都会导致tanδ过大。在运行中,由于绝缘受潮、老化,tanδ会急剧增大,使绝缘温度升高,甚至引起热击穿。因此tanδ试验是一个很重要的试验项目。

1  试验方法

目前普遍使用高压西林电桥,其原理如图高压西林电桥原理图所示。

电桥平衡条件是

Z x Z 4=ZNZ3

电桥调平衡后

测量介质损耗时,电桥有两种接线方式:正接法和反接法。正接法适用于试品不接地的情况;反接法适用于试品一端接地的场合。反接法时,桥体处于高电位,要求用绝缘手柄操作,或者将电桥和人员置于对地绝缘的屏蔽笼内。

2  保护电压

图寄生电容影响电桥回路中ab两点对高压引线和对地都有寄生电容CauCbuCavCbv,这会引起干扰电流,影响桥臂电流I1=I3I2=I4的平衡条件,造成测量误差。实际电桥中,桥体和引线装有屏蔽,消除了CauCbu的影响,增大了ab两点对地电容。在桥下结点v与地之间引入一幅值、相位可调的保护电压E,迫使ab两点都处在地电位,可消除Ia0Ib0的影响。常用的保护电压接法如图单屏蔽保护电压接线图所示。也可用双屏蔽接法,如图双屏蔽接线所示。

双屏蔽接线效果好,但要求电桥、标准电容器及引线都为双屏蔽结构。

如果电桥额定电压较低,而需要用于较高电压的试验时,原保护电压幅值可能不够,电桥将失调。改进方法之一,是把电阻R4减小(如10000/πΩ改为1000/πΩ)。

 

 

 

 

 

 

 

 

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