中试控股技术研究院鲁工为您讲解：异频介损自动正切值及电容量测量装置

ZSDX-8000高压介质损耗测试装置(CVT变比）

操作简单，仪器配备了高端的全触摸液晶显示屏，超大全触摸操作界面，每过程都非常清晰明了，操作人员不需要额外的专业培训就能使用。轻
轻点击一下就能完成整个过程的测量，是目前非常理想的智能型介损测量设备。

参考标准：DL/T 962-2005，DL/T 474.3-2018

高压介质损耗测试装置(CVT变比）：ZSDX-8000高压介质损耗测试装置是发电厂、变电站等现场或实验室测试各种高压电力设备介损正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化
结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用
于被试品测试。频率可变为50.0Hz、47.5Hz\52.5Hz、45.0Hz\55.0Hz、60.0Hz、57.5Hz\62.5Hz、55.0Hz\65.0Hz，采用数字陷波技术，避开了工
频电场对测试的干扰，从根本上解决了强电场干扰下准确测量的难题。同时适用于全部停电后用发电机供电检测的场合。该仪器配以绝缘油杯加温控装置可测试绝缘油介质损耗。

技术参数
1 使用条件 -15℃∽40℃ RH＜80%
2 抗干扰原理 变频法
3 电    源 AC 220V±10% 允许发电机
4 高压输出 0.5KV∽10KV 每隔0.1kV
精    度 2%
最大电流       200mA
容    量 2000VA
5 自激电源 AC 0V∽50V/15A 单  频   50.0HZ、60.0HZ 
自动双变频
45.0HZ/55.0HZ   47.5HZ/52.5HZ 
55.0HZ/65.0HZ   57.5HZ/62.5HZ
6 分 辨 率 tgδ: 0.001% Cx: 0.001pF
7 精    度 △tgδ:±(读数*1.0%+0.040%)
△C x :±(读数*1.0%+1.00PF)
8 测量范围 tgδ 无限制
C x 15pF ＜ Cx ＜ 300nF
10KV Cx ＜ 60  nF
 5KV Cx ＜ 150 nF
  1KV Cx ＜ 300 nF
CVT测试 Cx ＜ 300 nF
9 LCR测量范围 电感L>20H（2kV）             电阻R>10KΩ（2kV）
LCR测量精度 1% 角度分辨率 0.01
10 CVT变比范围 10∽10000
CVT变比精度 1% CVT变比分辨率 0.01
11 外型尺寸（主机(mm) 350（L）×270（W）×315（H）
外型尺寸(附件)(mm) 350（L）×270（W）×160（H）
12 存储器大小 200 组 支持U盘数据存储
13 重量（主机） 22.75Kg
重量（附件箱） 5.25Kg
参考接线
1、正接法 
(1)、内高压—内标准—正接法（常规接线）
(2)、外高压—内标准—正接法（外接高压输入小于12kV）
(3)、内高压—外标准—正接法（必须设置外接标准容量）                         
(4)、外高压—外标准—正接法（必须设置外标准容量）                                                                        
2、反接法
(1)、内高压—内标准—反接法（常规接线）                                                          
(2)、外高压—内标准—反接法（外接高压输入小于12kV                                                                            
(3)、内高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）
(4)、外高压—外标准—反接法（必须设置外标准容量）                                                                      
3、CVT测试
(1)、CVT分别测试（普通测试）
(2)、CVT同时测试（一次完成测试）
(3)、不拆高压引线测试CVT电容值和介损测量模式：CVT自激法。电压≤2kV 
(4)、反接屏蔽法测量CVT上端C0的电容值和介损测量模式：反接法。电压≤2kV
4、CVT变比测试                             
5、正反同测
(1)、两绕组变压器CHG+CHL测试接线
 
(2)、两绕组变压器CLG+CLH测试接线
 
(3)、三绕组变压器CHG+CHL测试接线（高压线屏蔽接T绕组）
 
(4)、三绕组变压器CLG+CLT测试接线（高压线屏蔽接HV绕组）
 
(5)、三绕组变压器CTG+CHT测试接线（高压线屏蔽接LV绕组）
?正接法
   1.HV用红色高压线连试品高压
   2.Cx用黑色测试线连试品低压
   3.黑色测试线的屏蔽层连试品E
?反接法
   1.试品高压接地
   2. HV用红色高压线连试品低压         
   3.红色高压线的屏蔽层连试品E
   4.Cx悬空
   5.桶体已为高压注意绝缘

中试控股电力讲解测量介质损耗角正切值tg 有何意义？

介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。例如：某台变压器的套管，正常tg 值为0.5％，而当受潮后tg 值为3.5％，两个数据相差7倍；

而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。中试控股电力讲解变压器、发电机、断路器等电气设备的介损测试《规程》都作了规定。

U盘导出，可在任意一台PC机上通过我公司专用软件，查看和管理数据
不拆除CVT高压引线的情况下正确测量CVT的介质损耗值和电容值
自激电源：AC 0V∽50V/15A 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ 47.5HZ/52.5HZ 自动双变频

一般可采用短路法使绝缘温度升高，并保持一段时间，测量时取消短路电压，以免影响测量准确性。

（1）外界电场干扰的影响。这是指电压等级较低的情况，例如在35kV电压等级的电力设备tgδ测试中，容易忽视电场干扰的影响。某单位曾测试过一台35kV电流互感器的tgδ，第一年为0.4%，第二年为2.7%，第三年为3.4%，第四年为0.6%。四年的测试数据变化很大，且无硅铝层，分析判断很困难。经过分析主要是忽视了电场干扰的影响。35kV电压等级的电流互感器、电压互感器、断路器套管由于电容量小，受外界的电场干扰比较大，如果一旦忽视，不进行消除，测试数据就不能反映试品质量的真实情况。

（2）高压标准电容器的影响。现场经常使用的BR-16型标准电容器，电容量为50pF，要求tgδ＜0.1%。由于标准电容器经过一段时间存放、应用和运输，本身的质量在不断变化，受潮、生锈，忽视了这些质量问题，同样会影响测试的数据。

例如，某变电所测试了一只110kV电容式变压器套管，第一天测得tgδ值为0.4%，第二天测得的tgδ却变成0.8%。而两天测得的电容相近。经过分析比较，天气、温度、湿度、安放的位置和环境都一样，主要是使用了两只不同的标准电容器。经测试，第一天用的标准电容器本身的tgδ值为0.6%，第二天用的标准电容器本身的tgδ值为0.1%。

（3）试品电容量变化的影响。在用西林电桥测量电力设备绝缘状况时，往往重视tgδ值，而容易忽视试品电容量的变化，从而产生一些事故。

例如，某变电所测试一台套管为充胶型的35kV多油断路器，测试结果是A1套管tgδ值为2.3%，电容量为180pF,A2套管tgδ值为2.4%,电容量为240pF，其他四只套管的测试数据同A2相近，测试结果tgδ值都符合标准要求。

同历年数据比较，发现A1套管的电容量减小了60pF左右，这是个异常现象。马上对该套管重新测试，并对断路器进行解体分析，发现了A1套管下部严重漏胶，断路器里的油表面发黑，及时消除了隐患，否则后果不堪设想。因此，为了检出设备缺陷，在重视tgδ值变化的同时，也应重视电容量的变化。

（4）消除表面泄漏的方法。表2-46给出了LCLWD-220型电流互感器在不同空气相对湿度下的tgδ测量值。

由表中数据可见，湿度对试品tgδ值的影响很大，主要是由于表面泄漏造成的。

为消除表面泄漏的影响，有人采用屏蔽环法测量tgδ值，这是完全错误的。因为试品加屏蔽以后，改变了试品的电场分布，导致相角的变化，造成了测量误差。有人曾在试验室里对35kV的电流互感器、110kV的电流互感器、110kV的变压器套管在表面脏污没有清除（即有表面泄漏影响）就装在屏蔽环进行测量，tgδ值却从不合格的数据一直变到很理想的数据。例如，110kV的变压器套管做反接线测量，没有装屏蔽环时，tgδ值为4.3%；在导电杆附近的裙边上依次加装屏蔽环时，第一裙tgδ值为2.9%，第二裙tgδ值为1.9%，第三裙tgδ值为1.4%，第四裙tgδ值为0.7%，第五裙tgδ值为0.4%。tgδ的值越变越理想，而电容量变化幅值不打。正接法测试，结果也相似。可见，这种方法是不能采用的，否则不合格试品会变成合格试品。

消除表面泄漏影响的方法很多，主要有：

1) 在瓷套部分磁裙表面涂有机硅油或硅脂。

2) 在瓷套的部分磁裙表面涂石蜡，并用布擦匀。

3) 用电热风将瓷套的部分磁裙表面吹干。