四级承试设备

电容式电流互感器介质损耗因数测量

电力系统中运行着大量220kV电容式电流互感器，从其结构可知，某～次绕组与、般油浸纸电容式套管相似，相当于由10个电容量基本相等的电容元件串联而成．由于其制造时密封不良，运行中易进水受潮。

中试控股根据Q/CSG 10007-2004，要求测量一次对末电屏（一次绕组Li L2短路加压，末电屏接介质损耗电桥Cx线，二次绕组短路与铁芯等接地，即QSi型电桥正接线）或～次对末电屏，二次绕组（短路）及地（QS，型电桥反接线）的tgδ。现场试验表明，按上述两种接线测量tgδ时，对发现互感器进水受潮缺陷并不灵敏。

四级承试设备测量时一次绕组Li与L。端子短接后接于Qsi型西林电桥屏蔽线E。这样既可避免一次绕组对末电屏间绝缘电容量较大而介质损耗因数较小，被并联侧引起的测量值偏小，还可起到屏蔽外电场干扰作用。测量时按os,型电桥反接线，试验电压2kV。尽管试验电压较低，但由于被试部分电容量较大(约为1200N2500pF)，因此仍能满足测量灵敏度与准确度的要求。

如能增加测量末电屏对二次绕组、铁芯与外壳（地）的介质损耗因数tgδ，对发现进水受潮缺陷就比较有效。现场测量时，可分别测量末电屏对二次绕组、末电屏对铁芯、来电屏对地等各部分的绝缘电阻与介质损耗因数。

字形结构电流互感器介质损耗因数测量

四级承试设备具体测量方法既可按os，型电桥正接线测量一次对二次绕组的tgδ，也可按oS．型电桥反接线测量，由于运行中互感器外壳已妥善接地，因此一般使用osi型电桥的反接线进行测量（即一次短接电桥C。线，二次短接外壳或地）。曾用此法测得一台llOkV电流互感器，其一次对二次及外壳的tgδ为2.1%（20℃时），符合试验标准要求。但在进行真空干燥处理时，明显地发现内部存有水珠。中试控股这就表明，按此方法测量介质损耗因数对发现互感器进水受潮尚不可靠。

目前，电力系统中运行着大量的35～110kV 8字形结构电流互感器。这种互感器运行中存在一个主要的问题是：由于顶部密封不良而进水受潮。因此正确测量电流互感器一次对二次及外壳的介质损耗因数对绝缘是否受潮或劣化非常重要。