目前普遍使用高压西林电桥，其原理如图高压西林电桥原理图所示。

高压西林电桥原理图

a）正接法 b）反接法

电桥平衡条件是

Z _x Z ₄=Z_NZ₃

电桥调平衡后

测量介质损耗时，电桥有两种接线方式：正接法和反接法。正接法适用于试品不接地的情况；反接法适用于试品一端接地的场合。反接法时，桥体处于高电位，要求用绝缘手柄操作，或者将电桥和人员置于对地绝缘的屏蔽笼内。

图寄生电容影响电桥回路中a、b两点对高压引线和对地都有寄生电容C_au、C_bu和C_av、C_bv，这会引起干扰电流，影响桥臂电流I₁=I₃，I₂=I₄的平衡条件，造成测量误差。实际电桥中，桥体和引线装有屏蔽，消除了C_au、C_bu的影响，增大了a、b两点对地电容。在桥下结点v与地之间引入一幅值、相位可调的保护电压E，迫使a、b两点都处在地电位，可消除I_a0和I_b0的影响。常用的保护电压接法如图单屏蔽保护电压接线图所示。也可用双屏蔽接法，如图双屏蔽接线所示。

寄生电容影响

单屏蔽保护电压接线图

双屏蔽接线

双屏蔽接线效果好，但要求电桥、标准电容器及引线都为双屏蔽结构。

如果电桥额定电压较低，而需要用于较高电压的试验时，原保护电压幅值可能不够，电桥将失调。改进方法之一，是把电阻R₄减小（如10000/πΩ改为1000/πΩ）。

（1）现场试验时，若没有高压标准电容器，可用tanδ′较小的、数值已知且电容量合适的其他高压电气设备来代替，这时被试品的tanδ为

tanδ=tanδ′+tanδ″

式中  tanδ″——电桥的读数。

（2）外界有电场干扰时，将使电桥无法平衡或带来严重误差，消除方法有：

1）屏蔽法。用金属网将试品屏蔽起来。

2）倒相法。将电源电压反相180°，正、反各试一次，结果分别为C₁、tanδ₁和C₂、tanδ₂则试品的tanδ为

（3）被试品和标准电容器的高压引线不应出现电晕；被试品的测量电极的外部绝缘有脏污或受潮，将分流流过桥体的电流，导致tanδ偏小或出现负值。

电介质损耗是由泄漏电流引起的损耗W₁；感应极化引起的损耗W_p；局部放电引起的损耗W_i组成的。前两种因组成绝缘的材料的种类、分子的结合状态（如树脂的固化状态）、老化生成物的种类及数量、其他导电性物质的种类和数量（如水分）等变化。而后一种主要因绝缘中空穴等容易引起局部放电的缺陷情况而变化。tanδ试验就是基于这种现象来推断绝缘的性能状态及品质或老化程度的非破坏性试验。

tanδ与温度有关，以相同温度下的测量结果作比较，tanδ的合格范围示于表电缆及电容器的tanδ值的允许值。必要时，可作tanδ=f（u）曲线，观察tanδ随电压上升趋势，以判断绝缘好坏。

电缆及电容器的tanδ值的允许值