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电力技术
变频式互感器多功能分析实验仪(源头大厂)
时间:2023-03-08
中试控股技术研究院鲁工为您讲解: 变频式互感器多功能分析实验仪(源头大厂)
ZSCTP-220P变频互感器综合特性测试仪
参考标准:GB20840.1,GB20840.2,GB20840.3

ZSCTP-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%是由本中试控股在广泛听取用户意见、经过大量的市场调研、深入进行理论研究之后研发的新一代的电流、电压互感器测试仪器。装置采用高性能DSP和ARM、先进的制造工艺。用于保护类电流互感器(CT)及电压互感器(PT)多种参数的高精度测量。满足各类CT(如:保护类、计量类、TP类)的励磁特性(即伏安特性)、变比、极性、二次绕组电阻、二次负荷、比差以及角差等测试要求,满足各类PT电磁单元的励磁特性、变比、极性、二次绕组电阻、比差以及角差等测试。可实现一键完成CT直阻、励磁、变比和极性测试功能,自动化程度高、稳定可靠,在国内处于领先水平。

中试控股始于1986年 ▪ 30多年专业制造 ▪ 国家电网.南方电网.内蒙电网.入围合格供应商

ZSCPT-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%功能介绍
1、功能全面,既满足各类CT(如:保护类、计量类、TP类)的励磁特性(即伏安特性)、变比、极性、二次绕组电阻、二次负荷、比差以及角差等测试要求,又可用于各类PT电磁单元的励磁特性、变比、极性、二次绕组电阻、比差以及角差等测试。
2、自动给出拐点电压/电流、10%(5%)误差曲线、准确限值系数(ALF)、仪表保安系数(FS)、二次时间常数(Ts)、剩磁系数(Kr)、饱和及不饱和电感等CT、PT参数。
3、测试满足GB20840.1,GB20840.2 GB20840.3等各类互感器标准,并依照互感器类型和级别自动选择何种标准进行测试。
4、基于先进的低频法测试原理,能应对拐点高达45KV的CT测试。
5、界面友好美观,全中文图形界面。
6、装置可存储2000组测试数据,掉电不丢失。试验完毕后用U盘存入PC机,用软件进行数据分析,并生成WORD报告。
7、测试简单方便,一键完成CT直阻、励磁、变比和极性测试,而且除了负荷测试外,CT其他各项测试都是采用同一种接线方式。
8、易于携带,装置重量<9Kg

ZSCPT-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%技术特点
1、低频法测试CT/PT励磁曲线和10%/5%误差曲线
2、电压法测试CT/PT变比、极性,CT角差、比差
3、适用于各类CT/PT的测试(含套管CT、暂态CT、GIS组合CT)
4、自动记录饱和磁滞曲线
5、CT二次外回路负荷
6、支持多通道扩展箱
7、支持150A外接升流器,通流加量、变比验证
8、5.7”图形透反式LCD,阳光下可视
9、采用旋转光电鼠标操作,面板自带打印机
10、装置可存储3000组测试数据,掉电不丢失
11、测试方便,轻小便携,仅重9kg

ZSCPT-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%技术参数
输出电压:0~180V (RMS)
输出电流:0~12A(RMS),峰值36A
电压测量:准确度±0.05%
CT变比测量范围:1~30000
PT变比测量范围:1~10000
变比测量准确度:±0.05%
相位测量:准确度±2’,分辨率: 0.2’
二次绕组电阻测量:范围 0.1~300Ω,分辨率:0.1mΩ
升流电流输出:0~150A
输入电源电压:AC220V±20%,50HZ
工作条件:温度  -10℃~50℃,  湿度  ≤90%


ZSCPT-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%时功能全面,既满足各类CT(如:保护类、计量类、TP类)的励磁特性(即伏安特性)、变比、极性、二次绕组电阻、二次负荷、比差以及角差等测试要求,又可用于各类PT电磁单元的励磁特性、变比、极性、二次绕组电阻、比差以及角差等测试。

ZSCPT-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%

互感器励磁特性和伏安特性的区别
1、什么是励磁特性
励磁特性是在互感器二次侧励磁电流与所加电压的一种关系,实际上就是铁芯的磁化过程,所以也称为励磁特性,将这种特征按照一定要求绘制成曲线,就是励磁曲线,励磁特性通常也叫伏安特性,电压互感器励磁特性是把PT一次绕组末端出线端子接地其他绕组均开路的情况下,在二次绕组施加电压U,测量出相应的励磁电流I,U和I之间的关系就是电压互感器励磁特性。以U为横坐标I为纵坐标做出的曲线就是电压互感器励磁特性曲线。
2、什么是伏安特性
在电学中伏就是电压,安就是电流,伏安特性就是电流与电压的特性,也叫做关系,伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图,伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,用来研究导体电阻的变化规律, 这种在实际应用中还是比较多的,只是我们可能有时候没注意到,比如我们在电流互感器二次端施加电压用来测量它的曲线关系, 这种就是典型的测量伏安特性,下面我们看下测量过程。
3、测量过程
用互感器综合测试仪测量CT伏安特性时,电流互感器一次侧开路,二次侧施加一定大小的电压信号,观察磁通饱和情况,观察U(电压)与I (电流)的曲线关系,最传统的测量方法使用串并联电压表进行比对、计算,随着技术的进步,目前是采用伏安特性测试仪进行测量,自动调压,自动计算,测量准,效率高。
4、为什么要测量伏安特性
测量伏安特性或者励磁忒性的主要目的是检查互感器的铁芯质量,通过鉴别磁化曲线的饱和程度,计算5%,10%误差曲线,并用以判断互感器的二次绕组有无匝间短路情况。
5、相关注意事项
一般的电流互感器电流加到额定值时,电压已达400V以上,单用调压器无法升到试验电压,所以还必须再接一个升压PT读取电压。

ZSCTP-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%是大家在做高压电力试验,尤其是在野外进行试验的是,经常需要用到的设备,因此不论是在选择设备,还是在使用设备的时候,都需要格外注意。

ZSCTP-220P变频互感器综合特性测试仪精度0.05%

互感器有哪些类型?
互感器分为电压互感器和电流互感器两大类。
1、电压互感器
电压互感器的基本结构和变压器很相似,它也有两个绕组,一个叫一次绕组,一个叫二次绕组。两个绕组都装在或绕在铁心上。两个绕组之间以及绕组与铁心之间都有绝缘,使两个绕组之间以及绕组与铁心之间都有电气隔离。
电压互感器在运行时,一次绕组N1并联接在线路上,二次绕组N2并联接仪表或继电器。因此在测量高压线路上的电压时,尽管一次电压很高,但二次却是低压的,可以确保操作人员和仪表的安全。
2、电流互感器
电流互感器是依据电磁感应原理将一次侧大电流转换成二次侧小电流来测量的仪器。由闭合的铁心和绕组组成。
它的一次侧绕组匝数很少,串在需要测量的电流的线路中,因此它经常有线路的全部电流流过,二次绕组匝数比较多,串接在测量仪表和保护回路中,电流互感器在工作时,它的二次回路始终是闭合的,因此测量仪表和保护回路串联线圈的阻抗很小,电流互感器的工作状态接近短路。应用互感器时应注意以下几个方面:
1、电流互感器的额定一次电流一般按线路的1.2~1.4倍电流选用电流互感器,这主要是考虑线路过载时不至于烧毁电流互感器和电流表或电能表等用电设备。
2、电流互感器的额定一次电流也不能选得比线路的实际工作电流相差太大,这将影响电流互感器的计量 精度。
3、互感器是在额定的二次输出负载范围内才能保证互感器精度。因此包括二次线路负载以及计量装置的负载都为互感器实际工作的负载,当互感器二次实际输出负载大于互感器二次额定输出负载时,互感器精度将降低,严重过载时将烧毁互感器。
4、当互感器二次实际输出负载低于互感器额定二次输出负载时,互感器的精度将降低。
5、根椐不同的使用场合选用适宜的互感器产品。
6、户外用互感器和户内用互感器莫混用。
浅谈电流互感器误差超标时的处理方法
电流互感器的二次负载,直接影响到它的正确工作。一般来说,二次负载愈大,互感器的误差也愈大,只要二次负载不超过厂家的整定值,制造厂应保证互感器所产生的误差在其准确度等级或10%误差曲线范围内。因此,电流互感器在使用过程中,必须了解其额定二次负载和实际二次负载,只有在实际二次负载小于额定二次载时,误差才能符合要求。但是电流互感器在实际使用过程中,有时由于二次设备变更或者设计过程中考虑不周等各种原因,引起二次负载临时增加,使得实际二次负载超过互感器的额定二次负载;或者二次负载实测值大于额定二次负载,这时电流互感器的误差值将超过厂家的规定值。当电流互感器的误差超过厂家的规定值时,将给继电保护、计量装置等二次设备带来不良影响。下面谈一谈当电流互感器的误差超过厂家的规定值时应采取的弥补措施。


油浸链式和串级式电流互感器



3.1 试验接线


35kV~110kV级的电流互感器,多数为油浸链式(如LCWD-110型)和串级式(如L-110型)结构。这类电流互感器现场测量可按一次对二次绕组用高压电桥正接线测量,也可按一次对二次绕组及外壳用高压电桥反接线测量。


3.2 判断和标准


电流互感器的tanδ(%)值,按DL/T 596规定进行综合判断,且与出厂及历年数据比较,不应有显著变化。


4、电容型电流互感器


4.1 试验接线


电容型电流互感器的结构如图1-1所示,最外层有末屏引出。试验时可采用高压电桥正接线进行一次绕组对末屏的tanδ及电容的测量。电流互感器进水受潮以后,水分一般沉积在底部,最容易使底部和末屏绝缘受潮。采用反接线测量末屏对地的tanδ和电容,加压在末屏与油箱座之间,另外将一次绕组接到电桥的“E”端屏蔽,试验时施加电压根据末屏绝缘水平和测量灵敏度选用,一般可取2kV。




图1-1 电容型电流互感器结构原理图
1——一次绕组;2——电容屏;3——二次绕组及铁芯;4——末屏


4.2 判断和标准


电容型电流互感器一次绕组对末屏tanδ的试验结果判断标准应不大于表1-1中的数值,电容量与初始值或出厂值差别超出±5%范围时应查明原因;当末屏绝缘电阻小于1000MΩ时应测量末屏对地的tanδ,其值不大于2%。




 注:油纸电容型tanδ一般不进行温度换算,当tanδ值与出厂值或上次试验比较有明显增长时,应综合分析tanδ与温度、电压的关系,当tanδ随温度明显变化或试验由10kV升到Um/√3时,tanδ增量超过±0.3%,不应继续运行。
 
1、电磁式全绝缘电压互感器


1.1 试验接线


可以采用将一次绕组短路加压,各二次绕组均短路,接西林电桥Cx点的正接法来测量tanδ及电容值;也可以采用对电桥的E点加压,将一次绕组短路,接QS1电桥的Cx点,其各二次绕组均短路直接接地的反接法。


1.2 判断和标准


电磁式电压互感器在交接试验时,35kV油浸式的tanδ(%)可参照DL/T 596规定判断。35kV以上的,在试验电压为10kV时,按制造厂试验方法测得的tanδ值不应大于出厂试验值的130%。


运行中电磁式电压互感器的tanδ(%)值按DL/T 596规定判断。


2、串级式电压互感器


2.1 绕组结构


图1-1为220kV串级式电压互感器的绕组及结构布置图。一次绕组分成4段,绕在两个铁芯上;两个铁芯被支撑在绝缘支架上,铁芯对地分别处于3/4和1/4的工作电压,一次绕组最末一个静电屏(共有4个静电屏)与末端“X”相连接,“X”点运行中直接接地。末电屏外是二次绕组ax和剩余二次绕组aDxD“X”与ax绕组运行中的电位差仅100/√3V,它们之间的电容量约占整体电容量的80%。110kV级的绕组及结构布置与220kV级类似,一次绕组共分2段,只有一个铁芯,铁芯对地电压为1/2的工作电压。




图1-1 220kV串级式电压互感器原理接线图
1——静电屏蔽层;2——一次绕组(高压);3——铁芯;4——平衡绕组
5——连耦绕组;6——二次绕组;7——剩余二次绕组;8——支架
2.2 试验方法和接线


测量串级式电压互感器tanδ和电容的主要方法有:末端加压法、末端屏蔽法、常规试验法和自激法。末端加压法采用较广,它的优点是电压互感器A点接地,抗电场干扰能力较强,不足之处是存在二次端子板的影响,且不能测绝缘支架的tanδ值;末端屏蔽法“X”接屏蔽能排除端子板的影响,能测出绝缘支架的tanδ值。电压互感器的预防性试验规定,必须增加对绝缘支架的介质损失值的测试项目,因此DL/T 596建议采用末端屏蔽法试验。自激法抗干扰力差,一般较少采用。


a) 试验接线和方法如图1-2~图1-6和表1-1所示。
图1-2 末端加压法测量接线
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


图1-3 末端加压法测量对剩余二次绕组端部tanδ的接线
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


图1-4 末端屏蔽法:电压互感器底座接地测量一次对二次绕组的试验接线(测出Ca及tanδa)
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


图1-5 末端屏蔽法:电压互感器底座对地绝缘测量一次对支架与二次绕组并联的试验接线(测出Cb及tanδb)
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


图1-6 末端屏蔽法直接测量支架tanδ接线
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


图1-7 常规法(反接线)接线
AX——高压绕组端子;ax——二次绕组端子;aDxD——剩余二次绕组端子;Cx——电容电桥端子
E——电桥接地端子;R4——电桥固定电阻;C4——电桥可调电容;Cn——标准电容;R3——电桥可调电阻


b) 绝缘支架tanδ和电容的测量。由于支架的电容量很小(一般为10pF~25pF),因此按图1-6直接法测量的灵敏度很低,在强电场干扰下往往不易测准,建议使用间接法,按图1-4和图1-5两次测量后,用式(1)计算出绝缘支架的电容Cc和介质损耗因数tanδc,即:

 

 

 

 

 

 

 

 

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